功能描述：TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：托盘

零件状态：有效

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 500mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.48nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：55pF @ 50V

功率 - 最大值：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：-

供应商器件封装：模具

标准包装：10

EPC8QC100

EPC8QC100N

EPC8QC100T

EPC8QI100

EPC8QI100N

EPC8QI100T

EPCE16QC100N

EPCE4QC100N

EPCE8QC100N

EPCOS4641